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      ?東芝推出搭載高效靜電放電保護(hù)的雙MOSFET“SSM6N813R

      文章出處:電源 責(zé)任編輯:上海意泓電子科技有限責(zé)任公司 發(fā)表時(shí)間:
      2020
      11-10

      東京--東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)已推出搭載高效靜電放電保護(hù)的雙MOSFET“SSM6N813R”,該產(chǎn)品適用于需要耐高電壓和小尺寸的汽車應(yīng)用,包括LED前照燈驅(qū)動(dòng)器IC。量產(chǎn)出貨將于四月啟動(dòng)。.


      100V的最大漏源極電壓(VDSS)可確保SSM6N813R適用于需要多個(gè)LED的前照燈應(yīng)用,高抗靜電能力為此提供支持。SSM6N813R采用最新工藝制造,使用 TSOP6F封裝,具備1.5W的允許功耗和低導(dǎo)通電阻。此外,TSOP6F的封裝尺寸比SOP8封裝小70%。

      應(yīng)用場(chǎng)合

      汽車LED前照燈驅(qū)動(dòng)器

      特點(diǎn)

          小型封裝
          高靜電保護(hù)等級(jí)
          低RDS(ON)

      主要規(guī)格
       

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