?EPC于PCIM Asia 2017與工程師進行技術(shù)交流 -- 如何在高功率、高度共振式無線充電應(yīng)用中選擇于6.78 MHz工作的放大器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)

宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)是硅基增強型氮化鎵場效應(yīng)晶體管及集成電路的領(lǐng)先供應(yīng)商，基于eGaN?FET與集成電路的低成本解決方案是在發(fā)射端采用單個功率放大器，而在接收端無論是采用什么標(biāo)準(zhǔn)，也可以實現(xiàn)無線充電。下面就隨電源管理小編一起來了解一下相關(guān)內(nèi)容吧。

EPC于PCIM Asia 2017與工程師進行技術(shù)交流 -- 如何在高功率、高度共振式無線充電應(yīng)用中選擇于6.78 MHz工作的放大器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)

我們誠摯邀請工程師蒞臨中國上海，出席于2017年6月28日(星期三)上午11時在上海世博展覽館B2層2號會議室舉行的PCIM Asia 2017研討會(電力轉(zhuǎn)換與智能運動研討會)。屆時EPC公司的應(yīng)用工程副總裁Michael de Rooij博士將分享在高功率、高度共振式無線充電應(yīng)用中，如何選擇放大器的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，從而滿足客戶在產(chǎn)品設(shè)計上的要求。

近年來，配備無線充電功能的消費產(chǎn)品推動了無線充電的快速發(fā)展。無線充電的普及要求器件可以在6.78 MHz和13.56 MHz的更高ISM頻段工作。共振式系統(tǒng)在該頻段允許高效率和高空間自由度，可同時對不同功率級的設(shè)備及對多個設(shè)備同時充電。在這些高頻率下，傳統(tǒng)的MOSFET技術(shù)已經(jīng)接近其性能極限。作為硅基功率MOSFET的替代器件 -- 增強型eGaN? FET的開關(guān)轉(zhuǎn)換速度在亞納秒范圍內(nèi)，可以在高頻、高壓下工作，因此是無線電源應(yīng)用的理想器件。

EPC的解決方案是在高度共振式無線功率系統(tǒng)、工作在6.78 MHz頻率、采用差分模式Class E和ZVS Class D放大器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、經(jīng)過實驗驗證的比較，并且根據(jù)AirFuel? Class 4標(biāo)準(zhǔn)，可對負(fù)載提供最大33 W的功率。實驗結(jié)果表明，在25°C環(huán)境溫度下，這兩種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)都使得放大器可以在整個功率負(fù)載范圍內(nèi)實現(xiàn)超過85%的效率，而場效應(yīng)晶體管(FET)并不會超過80%的額定電壓或超過100°C器件溫度。

EPC公司推出了第五代eGaN FET器件，包括EPC2046(200 V、RDS(on) 最大值為25 m?、55 A 脈沖輸出電流))和EPC2047eGaN FET (10 m?、200 V)，并備有開發(fā)板EPC9081。EPC2046 和 EPC2047都支持無線充電應(yīng)用。

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